RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2486
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link