RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3722
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link