RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2126
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link