RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3170
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link