RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Teclast TLD416G26A30 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Teclast TLD416G26A30 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2719
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link