RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3938
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link