RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2734
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link