RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
74
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
74
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
1779
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link