RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3122
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link