RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
12800
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link