RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2534
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link