RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
55
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
55
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.9
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2699
3146
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link