RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
44
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3395
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link