RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
56
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2138
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link