RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
3258
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link