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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.4
16.0
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2436
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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