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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
61
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
32
读取速度,GB/s
4,230.0
17.3
写入速度,GB/s
2,410.6
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
3422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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