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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
59
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1954
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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