Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

总分
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

总分
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 92
    左右 -197% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    20.5 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.5 left arrow 1,266.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    92 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    2,105.4 left arrow 20.5
  • 写入速度,GB/s
    1,266.1 left arrow 15.5
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    339 left arrow 3649
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