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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
16.7
18.2
写入速度,GB/s
10.0
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3559
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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