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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
27700
12800
左右 2.16 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
27700
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2764
3539
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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