RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Super Talent F26UB16GH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F26UB16GH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
8.7
写入速度,GB/s
9.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1769
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link