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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.5
16.8
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2851
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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