RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
94
Rund um -248% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3299
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link