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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
52
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2534
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kllisre 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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