A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Unterschiede

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 17.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 66
    Rund um -136% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 1,557.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 6400
    Rund um 3.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    66 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,775.5 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,557.9 left arrow 14.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    382 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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