RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2888
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link