RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
46
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2352
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link