RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
77
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1549
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link