RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
6.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1970
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link