RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
49
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2374
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link