RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
1989
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link