RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
76
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1260
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link