RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
2690
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link