RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
3495
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link