Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Gesamtnote
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unterschiede

Corsair VS1GB800D2 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS1GB800D2 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    47 left arrow 52
    Rund um 10% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 1,361.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,680.7 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,361.1 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    460 left arrow 2472
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RAM 1
RAM 2

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