RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3277
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link