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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2654
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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