RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2259
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link