RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Gesamtnote
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gesamtnote
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
58
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
2,001.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,796.5
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.3
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
768
2064
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link