RAM-Vergleich Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 65

Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 4.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 8500

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

985 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns