RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3726
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link