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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
44
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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