RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
56
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link