RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
2545
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link