RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
49
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2682
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link