RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
58
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2025
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link