RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gesamtnote
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
2,001.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,776.5
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.7
7.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
669
2236
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link