RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link