Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Unterschiede

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 62
    Rund um -35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 46
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 11.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 8.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1612 left arrow 2481
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RAM 1
RAM 2

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